半導體的靜電敏感度
2011-07-24
半導體的靜電敏感度
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裝置型式 |
靜電放電敏感度范圍V |
裝置型式 |
靜電放電敏感度范圍V |
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VMOS |
30-1800V |
散粒(肖特基)二極管 |
300-2500 |
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MOSFET |
100-200V |
薄片電阻(原細) |
300-3000 |
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GASFET |
100-300V |
雙向晶體管 |
380-7000 |
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EPPROM |
100V |
ECL(發射極耦合邏輯電路) |
500-1500 |
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JFET |
140-7000V |
SCR(可控硅) |
680-1000 |
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SAM |
150-1500V |
散粒(肖特基)晶體管 |
1000-2500 |
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OP-AMP |
190-2500V |
--晶體管邏輯電路 |
1000-2500 |
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CMOS |
250-3000V |
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